GL998G Présentation du banc d’essai pour capteurs photoélectriques

GL998G Présentation du banc d'essai pour capteurs photoélectriques

Le banc d’essai pour capteurs photoélectriques GL998G est un instrument pédagogique conçu par notre société pour répondre aux besoins d’enseignement de la photoélectronique dans les domaines de l’optoélectronique, de l’ingénierie de l’information, de l’électronique physique et autres. Il constitue l’équipement de base pour la réalisation d’expériences sur les caractéristiques et les applications des dispositifs photosensibles et des capteurs photoélectriques, et représente un instrument expérimental fondamental en optoélectronique.

Le banc d’essai pour capteurs photoélectriques GL998G est un instrument pédagogique conçu par notre société pour répondre aux besoins d’enseignement de la photoélectronique dans des domaines tels que l’optoélectronique, l’ingénierie de l’information et l’électronique physique. Il constitue l’équipement de base pour la réalisation d’expériences sur les caractéristiques et les applications des dispositifs photosensibles et des capteurs photoélectriques, et représente l’instrument expérimental fondamental en optoélectronique. I. Configuration du banc de test du capteur photoélectrique GL998G
1. Cellule photoélectrique au silicium (V<sub>OC</sub> : 300 mV, ID < 1 × 10<sup>-8</sup> µA, ISC : 5 µA, λ : 300-1000 nm, λ<sub>p</sub> : 880 nm)
2. Photodiode (V<sub>r</sub> : 20 V, ID < 0,1 µA, IL : 50 µA, t<sub>tr</sub>/t<sub>f</sub> : 10 ns, λ<sub>p</sub> : 880 nm)
3. Phototransistor (V<sub>CEO</sub> : 50 V, ID < 0,1 µA, IL : 5 mA, t<sub>tr</sub>/t<sub>f</sub> : 15 ns, λ<sub>p</sub> : 880 nm)
4. Photorésistance (photorésistance CDS, puissance nominale : 100 mW, résistance à l’obscurité ≥ 1 MΩ, t<sub>tr</sub> 20 ms, t<sub>f</sub> 30 ms) λp : 580 nm)
5. Optocoupleur réflectif (entrée : IFM = 20 mA, VR = 5 V, VF = 1,3 V ; sortie : VCEO = 30 V, ICEO = 0,1 µA, VCES = 0,4 V ; caractéristiques de transmission : CTR (%) = 5, tr tf : 5 µs)
6. Sonde pyroélectrique infrarouge
7. Sonde de photomètre
8. Fibre optique en Y
9. Laser semi-conducteur (longueur d’onde : 635 µm, puissance : 1-3 mW)
10. Lampe à incandescence ordinaire
11. Diode électroluminescente ordinaire
12. Diode électroluminescente infrarouge (VR : 5 V, VF : 1,4 V, IR : 10 µA, PO : 2 mW)
13. Capteur de position PSD
II. Projet expérimental de banc d’essai du capteur photoélectrique GL998G
1. Expérience sur les caractéristiques de la photodiode
2. Photorésistance Expérience
3. Expérience sur les caractéristiques d’un phototransistor
4. Expérience sur les principes fondamentaux de la photoélectricité
5. Expérience sur une cellule photoélectrique
6. Expérience sur un commutateur photoélectrique à transmission
7. Expérience sur un commutateur photoélectrique à réflexion infrarouge
8. Expérience sur un capteur de déplacement à fibre optique
9. Expérience sur un capteur de position PSD
10. Expérience sur une source lumineuse, la modulation et la démodulation de la lumière
11. Expérience sur un capteur infrarouge pyroélectrique

Produits similaires